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负胶配套试剂
负胶配套试剂主要是与BN系列紫外负型光刻胶配套使用的一类超净高纯试剂，包括负胶表面处理剂、负胶显影剂、负胶去胶剂(去膜剂)、负胶剥离液、负胶稀释剂、负胶清洗剂和负胶显影漂洗剂等产品。
更新:2014-10-31
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电解质
凝胶电解质 高稳定电解质 高效准固态液晶电解质离子液体电解质
更新:2014-04-21
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准方硅片
(156×156(mm))
型号156×156(mm)125×125(mm)生长方法柴氏法CZ柴氏法CZ型号掺杂P/N型掺硼/磷P/N型掺硼/磷晶向偏差±2°±2°氧含量≤1.0×1018 atoms/cm3 ≤1.0×1018 atoms/cm3 碳含量≤5.0×1016 atoms/cm3≤5.0×1016 atoms/cm3少子寿命＞10μs ＞10μs 电阻率0.5-3Ω.cm 3-6Ω.cm 0.5-3Ω.cm 3-6Ω.cm 位错≤2000/cm2 ≤2000/cm2 准...
更新:2014-02-03
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8英寸单晶硅片
生产方法线锯切割导电类型P /N型型号掺杂P/N型掺硼、镓/磷晶向偏差＜100＞±1°位错无电阻率1~3Ω.cm，3~6Ω.cm直径200±0.5mm边宽156±0.5mm片厚200±20μm等TTV≤20μm翘曲度≤40μm线痕≤15μm氧含量≤1.0×1018 atom/cm3体少子寿命≥15μs碳含量≤5.0×1016 atom/cm3外观无隐裂、无沾污等
更新:2014-02-03
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6.5英寸单晶硅片
生产方法线锯切割导电类型P /N型型号掺杂P/N型掺硼、镓/磷晶向偏差＜100＞±1°位错无电阻率1~3Ω.cm直径165±0.5mm边宽125±0.5mm片厚200±20μm等TTV≤20μm翘曲度≤40μm线痕≤15μm氧含量≤1.0×1018 atom/cm3体少子寿命≥10μs碳含量≤5.0×1016 atom/cm3外观无隐裂、无沾污等
更新:2014-02-03
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6寸单晶硅准方棒
生产方法柴氏法CZ、导电类型P 型型号掺杂P/N型掺硼/磷晶向偏差＜100＞±3°纯度6N位错
更新:2014-02-03
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8寸多晶硅准方棒
生产方法定向凝固法导电类型P 型型号掺杂P/N型掺硼/磷电阻率0.5~3Ω.cm，3~6Ω.cm纯度6N少子寿命≥2μs直径200±0.3 mm横截面边长156±0.5mm碳含量≤5.0×1017四边垂直度90±0.3°氧含量≤1.0×1018外观光滑、无裂纹、无划伤
更新:2014-02-03
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硅片
类型P掺杂剂Boron规格125*125 ± 0.5mm, 156*156 ± 0.5mm厚度200 ± 20 µ m电阻率1~3 Ω .cm 3~6 Ω .cm少子寿命≥ 10 µ s晶向 ± 3°切割方式Multiple wire cutTTV≤ 20 µ m垂直度90° ± 0.5°位错密度≤3000cm-2氧含量≤1.0*1018 cm-3碳含量≤5.0*1016 cm-3
更新:2014-01-28
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铝边框
(1650*992*45*35)
技术参数：机械特性 尺寸 1650*992*45*35角度45° 材质型号 6063-T5抗拉强度MPa≥190非比例延伸强度 MPa≥150断后延伸率≥6 韦氏硬度≥10其他特性 阳极氧化AA15（级别） 表面处理喷砂 有无溢胶槽有 耐腐蚀（CASS）≥9级，时间32小时 耐候性300小时后，表面无粉化现象 绝缘性良好
更新:2014-01-08
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铝边框
(1580*808*35*35)
技术参数：机械特性 尺寸1580*808*35*35角度45° 材质型号 6063-T5抗拉强度MPa≥190非比例延伸强度 MPa≥150断后延伸率≥6 韦氏硬度≥10其他特性 阳极氧化AA15（级别） 表面处理喷砂 有无溢胶槽有 耐腐蚀（CASS）≥9级，时间32小时 耐候性300小时后，表面无粉化现象 绝缘性良好
更新:2014-01-08
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铝边框
(1956*992*50*35)
技术参数：机械特性 尺寸 1956*992*50*35 角度45° 材质型号 6063-T5抗拉强度MPa≥190 非比例延伸强度 MPa≥150断后延伸率≥6 韦氏硬度≥10其他特性 阳极氧化AA15（级别） 表面处理喷砂 有无溢胶槽有 耐腐蚀（CASS）≥9级，时间32小时 耐候性300小时后，表面无粉化现象 绝缘性良好
更新:2014-01-08
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铝边框
(1580*808*45*35)
技术参数：机械特性 尺寸 1580*808*45*35角度45° 材质型号 6063-T5抗拉强度MPa≥190非比例延伸强度 MPa≥150断后延伸率≥6 韦氏硬度≥10其他特性 阳极氧化AA15（级别） 表面处理喷砂 有无溢胶槽无 耐腐蚀（CASS）≥9级，时间32小时 耐候性300小时后，表面无粉化现象 绝缘性良好
更新:2014-01-08
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硅棒
公司拥有国际先进的专利技术和生产、检测设备，2010年实现销售10亿元，未来五年，通过与中电电气太阳能产业上下游企业珠联璧合，从而使主导产品达到国内领先、国际先进的水平。
更新:2014-01-05
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硅片
太阳能级硅单晶片型号PN掺杂硼磷尺寸125*125±0.5mm156*156±0.5mm厚度180±20 200±20 or220±20 or 240±20μm
更新:2014-01-05
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125单晶3线
单晶电池片光电转换效率高、性能稳定 ·独特的制绒工艺，更有利于太阳电池的短路电流的提高； ·精湛的扩散技术使得薄层电阻更均匀，有利于降低太阳电池的串联电阻，提高电池片的光电转换效率； ·先进的PECVD技术，提供了均匀的深蓝色氮化硅减反射膜； ·丝网印刷图案定位精准且电极平整度提高，使得电...
更新:2013-12-26
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太阳能单晶棒/硅片
内蒙古晨纳吉光伏材料有限公司生产太阳能单晶棒和硅片。产品包括Ｐ型Ｎ型６和８的圆棒，１０４,１２５,１５６方棒，以及相应的硅片。
更新:2013-08-09
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156多晶硅片
导电类型P尺寸125X125mm±0.5mm150X150mm±0.5mm156X156mm±0.5mm210X210mm±0.5mm电阻0.5-3.0Ω.cm少子寿命≥2μs氧含量≤1.0×1018/cm3碳含量≤5.0×1016/cm3厚度200μm±20、220μm±20、240μm±20TTV≤30μm弯曲度≤30μm锯痕≤10μm
更新:2013-08-08
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156单晶硅片
少子寿命≥10μs弯曲度 ≤35μm电阻1.0-3.0Ω.cm，3.0-6.0Ω.cm氧含量 ≤1.0×1018 /cm3碳含量 ≤5.0×1016/cm3 尺寸125X125mm±0.5mm156X156mm±0.5mm厚度170μm、200μm、220μm、240μm（±20）TTV ≤20μm垂直度变化 90°±0.2°晶向
更新:2013-08-08
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单晶硅
中环光伏的单晶硅产品除应用于传统的半导体器件和民用太阳能电池领域外，还占据了我国空间太阳能电池领域85%以上的份额。长期以来，中环光伏提供给18所的太阳能电池用硅片已成功应用于我国的“神舟号”载人系列飞船等各类航天飞船的电源系统上。
更新:2013-04-12
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太阳能单晶电池板
最大功率： 100（W）参考重量： 8（KG）开路电压： 22.30（V）工作电流： 5.71（A）工作电压： 17.5（V）加工定制： 是 短路电流： 5.89（A）类型： 层压太阳能电池板/组件 型号： 单晶100瓦 品牌： 晨旭 系统电压： 12（V）产品认证： TUV 电池数量： 36（个,只）外形尺寸： 1200*540*35（mm）
更新:2012-11-16
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太阳能光伏：